https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/357453
標題: | Achieving high-performance Ge MOS devices using high-к gate dielectrics Ga 2 O 3 (Gd 2 O 3) of sub-nm EOT | 作者: | Chu, LK Chu, RL Lin, CA Lin, TD Chiang, TH Kwo, J Hong, Mingyi MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2010 | 起(迄)頁: | 25-26 | 來源出版物: | Device Research Conference 2010 | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/357453 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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