https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/357462
標題: | dc and rf characteristics of self-aligned inversion-channel In0. 53 Ga0. 47As metal-oxide-semiconductor field-effect transistors using molecular beam epitaxy-Al2O3/Ga2O3 (Gd2O3) as gate dielectrics | 作者: | Lin, TD Chang, P Chiu, HC Hong, M Kwo, J Lin, YS Hsu, Shawn SH MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2010 | 卷: | 28 | 期: | 3 | 起(迄)頁: | C3H14 | 來源出版物: | Journal of Vacuum Science & Technology B | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/357462 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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