https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404533
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | M.H.Liao | en_US |
dc.contributor.author | M.Hongh | en_US |
dc.creator | M.Hongh;M.H.Liao | - |
dc.date.accessioned | 2019-03-11T08:02:07Z | - |
dc.date.available | 2019-03-11T08:02:07Z | - |
dc.date.issued | 2016 | - |
dc.identifier | 14/245,785 | - |
dc.identifier.uri | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404533 | - |
dc.title | MOS Devices with UltraHigh Dielectric Constants and Methods of Forming the Same | en_US |
dc.type | patent | en |
item.fulltext | no fulltext | - |
item.grantfulltext | none | - |
item.cerifentitytype | Patents | - |
item.fulltext | no fulltext | - |
item.openairecristype | http://purl.org/coar/resource_type/c_15cd | - |
item.openairetype | patent | - |
item.grantfulltext | none | - |
crisitem.author.orcid | 0000-0003-2942-4520 | - |
顯示於: | 電機工程學系 |
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