https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443397
標題: | Self-aligned inversion-channel In<inf>0.75</inf>Ga<inf>0.25</inf>As MOSFETs using MBE-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf>(Gd <inf>2</inf>O<inf>3</inf>) and ALD-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> as gate dielectrics | 作者: | Lin, T.D. Chiu, H.C. Chang, P. Chang, Y.H. Lin, C.A. Chang, W.H. Kwo, J. Tsai, W. Hong, M. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2009 | 起(迄)頁: | 399-402 | 來源出版物: | 39th European Solid-State Device Research Conference | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443397 | DOI: | 10.1109/ESSDERC.2009.5331557 |
顯示於: | 物理學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。