https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443413
標題: | Inversion n-channel GaN MOSFETs with atomic-layer-deposited Al <inf>2</inf> O <inf>3</inf> as gate dielectrics | 作者: | Chang, Y.C. Chang, W.H. Chiu, H.C. Shiu, K.H. Lee, C.H. MINGHWEI HONG Kwo, J. Hong, J.M. Tsai, C.C. |
公開日期: | 2008 | 起(迄)頁: | 81-82 | 來源出版物: | Device Research Conference | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443413 | DOI: | 10.1109/DRC.2008.4800744 |
顯示於: | 物理學系 |
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