https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/447961
標題: | The special trench design near the through silicon vias (TSVs) to reduce the keep-out zone for application in three-dimensional integral circuits | 作者: | Liao, M.-H. MING-HAN LIAO |
公開日期: | 2013 | 卷: | 46 | 期: | 49 | 來源出版物: | Journal of Physics D: Applied Physics | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/447961 | DOI: | 10.1088/0022-3727/46/49/495103 |
顯示於: | 機械工程學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。