https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/500092
標題: | Time-resolved photoluminescence and capacitance-voltage analysis of the neutral vacancy defect in silicon implanted SiO2 on silicon substrate | 作者: | Lin, G.-R. Lin, C.-J. GONG-RU LIN |
公開日期: | 2004 | 卷: | 96 | 期: | 5 | 起(迄)頁: | 3025-3027 | 來源出版物: | Journal of Applied Physics | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/500092 | DOI: | 10.1063/1.1775041 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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