公開日期 | 標題 | 作者 | 來源出版物 | scopus | WOS | 全文 |
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2011 | Two-domain formation during the epitaxial growth of GaN (0001) on c-plane Al 2O 3 (0001) by high power impulse magnetron sputtering | Junaid, M.; Lundin, D.; Palisaitis, J.; Hsiao, C.-L.; Darakchieva, V.; Jensen, J.; Persson, P.O.Å.; Sandström, P.; Lai, W.-J.; Chen, L.-C. ; Chen, K.-H.; Helmersson, U.; Hultman, L.; Birch, J. | Journal of Applied Physics | 16 | 16 |