https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/503289
標題: | Two-domain formation during the epitaxial growth of GaN (0001) on c-plane Al 2O 3 (0001) by high power impulse magnetron sputtering | 作者: | Junaid, M. Lundin, D. Palisaitis, J. Hsiao, C.-L. Darakchieva, V. Jensen, J. Persson, P.O.Å. Sandström, P. Lai, W.-J. Chen, L.-C. Chen, K.-H. Helmersson, U. Hultman, L. Birch, J. |
公開日期: | 2011 | 出版社: | American Institute of Physics | 卷: | 110 | 期: | 12 | 來源出版物: | Journal of Applied Physics | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/503289 | ISSN: | 00218979 | DOI: | 10.1063/1.3671560 |
顯示於: | 凝態科學研究中心 |
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