https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/119817
標題: | Reliable C-V Characterization of MOS Capacitors by Initial Treatment at the Presence of Slow Interface States | 作者: | 胡振國 Lin, J. J. 王維新 Hwu, Jenn-Gwo Wang, Way-Seen |
公開日期: | 1989 | 起(迄)頁: | 78-81 | 來源出版物: | Proceedings of Electronic Devices and Materials Symposium | URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/140562 |
顯示於: | 光電工程學研究所 |
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