https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/151148
標題: | 三五族半導體光電材料及元件之研究(I) | 作者: | 林浩雄 | 公開日期: | 31-七月-1999 | 出版社: | 臺北市:國立臺灣大學電機工程學系暨研究所 | 摘要: | 本計畫的研究包括低含氮砷化銦量子井與 砷化銦鎵量子點兩項成長技術。在低含氮 材料的部分,我們使用射頻電漿氮氣源輔 助之氣態源分子束磊晶法,成功地於磷化 銦基板上成長氮砷化銦/磷砷化銦鎵多層 量子井。X 光繞射顯示加入少量的氮可減 小量子井的應變量,使樣品獲得較平坦的 異質接面。但是含氮量較大的樣品卻因有 較嚴重的局部應變,導致晶格結構整個變 差。在光激螢光量測方面,樣品的發光能 量隨氮含量的增加而減少,經由線性吻合 粗略得其能隙縮減參數約為-3.1 eV。本研 究中氮砷化銦材料的氮含量最大達 5.9%,樣品10 K 下的光激螢光發光波長 可達約2.6μm。在砷化銦鎵量子點的成 長的部分,我們使用遷移加強技術成功長 出的量子點,其各能階PL 半高寬幾乎不 隨溫度變化,且基態的半高寬均小於30 meV,顯示擁有良好的均勻度。 The studies of this project include the growths of (1) low nitrogen content InAsN quantum well and (2) InGaAs quantum dot. For the growth of InAsN SQW on InP substrates, GSMBE using RF plasma nitrogen source was used. X ray diffraction shows that QW strain can be reduced by introducing nitrogen slightly, smoother hetrojunctions were also observed. However, crystal structures of samples with larger nitrogen contents become worse due to more serious local strain. The PL emission peak energy decreases with increasing nitrogen contents. The maximum nitrogen mole fraction in this study is 5.9 %, along with a 10K PL peak position at ~2.6 mm in wavelength. To the best of our knowledge, this is the longest emission wavelength of the inter-band transition grown on InP substrates to date. For InGaAs quantum dot, migration enhanced technology was used. The PL FWHM’s of the InGaAs QD’s are almost temperature independent. Their ground state FWHM’s are all below 30 meV, and reveal very good uniformity. |
URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/7703 | 其他識別: | 882215E002017 | Rights: | 國立臺灣大學電機工程學系暨研究所 |
顯示於: | 電機工程學系 |
檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
---|---|---|---|---|
882215E002017.pdf | 65.45 kB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。