https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/151151
標題: | 以分子束磊晶法成長氮化鎵系列材料(I) | 作者: | 林浩雄 | 關鍵字: | 射頻電漿輔助氣態源分子束 磊晶;氮化鎵;氮化銦鎵;RF Plasma assisted GSMBE;GaN;InGaN | 公開日期: | 31-七月-1999 | 出版社: | 臺北市:國立臺灣大學電機工程學系暨研究所 | 摘要: | 本研究以射頻電漿輔助氣態源分子束 磊晶法(RF plasma assisted GSMBE)在 氧化鋁基板㆖成長六方晶系的氮化鎵 與氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井結構, 並於砷化鎵基板㆖成長立方晶系的氮 化鎵材料。在六方晶系的氮化鎵成 長,我們利用反射高能量電子束繞射 法(RHEED)量測找到接近化學計量 (stoichiometric) 的成長條件並用以成 長高品質的氮化鎵磊晶層。其室溫與 低溫光激螢光譜均未發現與缺陷有關 之發光。初步成長的氮化銦鎵/氮化鎵 多層量子井結構,在利用X-光繞射儀 的量測㆗得到明顯的衛星峰(satellite peak)並定出其銦含量約6.5%。而立方 晶系的氮化鎵磊晶層利用GaAs1-xNx 漸變層作為緩衝層來進行成長﹐其低 溫光激螢光譜(PL)僅見近能帶的躍 遷。而由X-光粉晶繞射亦僅量得立方 晶系氮化鎵的信號。 We have studied the growth of hexagonal GaN and InGaN/GaN multiple quantum well on sapphire substrate and cubic GaN on GaAs using RF plasma assisted gas source molecular beam epitaxy. On the growth of hexagonal GaN, near stoichiometric growth condition was found using in situ RHEED measurement and was used to grow high quality GaN epilayer. There are no defect related transitions found in room temperature and low temperature PL measurements. We have also grown InGaN/GaN multiple quantum wells which shows clear satellite peaks in X-ray spectrum and the In composition of the InGaN is ~6.5%. The cubic phase GaN has been grown on graded GaAs1-xNx buffer layer. The PL result of the cubic GaN features only near bandgap transitions. Powder X-ray measurement also shows peaks related to cubic phase only. |
URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/7706 | 其他識別: | 882215E002024 | Rights: | 國立臺灣大學電機工程學系暨研究所 |
顯示於: | 電機工程學系 |
檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
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