https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/155944
標題: | Growth of strained Si on high-quality relaxed Si1?xGex with an intermediate Si1?yCy layer | 作者: | Lee, S. W. Chueh, Y. L. Chen, L. J. Chou, L. J. Chen, P. S. Lee, M. H. Tsai, M.-J. Liu, C. W. |
公開日期: | 2005 | 卷: | Vacuum | 期: | 4 | 起(迄)頁: | 1141-1145 | 來源出版物: | The Journal of | URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/148228 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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