https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/155960
標題: | Growth of high-quality relaxed SiGe films with an intermediate Si layer for strained Si n-MOSFETs | 作者: | Chen, P. S. Lee, S. W. Lee, M. H. Liu, C. W. |
公開日期: | 2006 | 卷: | 21 | 期: | 4 | 起(迄)頁: | 479-485 | 來源出版物: | Semiconductor Science and Technology | URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/148244 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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