https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/155973
標題: | PMOS Hole Mobility Enhancement Through SiGe Conductive Channel and Highly Compressive ILD- SiNx Stressing Layer | 作者: | Liao, Wen-Shiang Liaw, Yue-Gie Tang, Mao-Chyuan Chen, Kun-Ming Huang, Sheng-Yi Peng, C.-Y. Liu, Chee Wee |
公開日期: | 2008 | 卷: | 29 | 期: | 1 | 起(迄)頁: | 86-88 | 來源出版物: | IEEE Electron Device Letters | URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/148257 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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