https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/173863
標題: | 前瞻性量子元件 子計畫一:砷銻化鎵/砷化鎵第二型量子井雷射(I) | 作者: | 林浩雄 | 關鍵字: | 分子束磊晶;含銻化合物半導體;銻砷化鎵量子井;能帶排列;彎曲參數;molecular beam epitaxy;Sb-based compound semiconductor;GaAsSb quantum well;band lineup;bowing parameter | 公開日期: | 31-十月-2005 | 出版社: | 臺北市:國立臺灣大學電子工程學研究所 | 摘要: | 本計畫以分子束磊晶法在砷化鎵基板上成 長銻砷化鎵/砷化鎵第二型量子井雷射,並 利用共振腔長度調整雷射波長。我們利用 雷射增益峰值對波長關係的模擬,藉著與 實驗資料的擬合來獲取銻砷化鎵/砷化鎵第 二型量子井能帶排列的關係以及銻砷化鎵 的能隙。我們獲致的GaAs0.64Sb0.36/GaAs量 子井主動層其GaAsSb之彎曲係數為 -1.31 eV,而價電帶差與能隙差比為1.02。這項 研究的結果用於銻砷化鎵光電元件的設 計,並可進一步研究溫度對雷射二極體特 性的影響。 In this study, we fabricated GaAsSb/GaAs type-II quantum well (QW) lasers and analyzed the basic band structure of the GaAsSb/GaAs QW. Because of a peculiar band-bending effect in the QW, the emission wavelength of the laser has a blue-shift as the cavity length is shortened. We utilized this effect to investigate the band line-up of the GaAsSb/GaAs QW. Through a simulation for the self-consistent solutions for the Poisson and Schrödinger equations, the optical gain of GaAsSb/GaAs QW was calculated. By comparing the simulated blue-shift on the gain peak with the experimental results, we can obtain the band structure of GaAsSb/ GaAs QW. The best results after fitting: the valence band offset ratio (Qv) of the unstrained GaAs0.64Sb0.36/GaAs is 1.02, and the unstrained band-gap bowing parameter of GaAsSb is -1.31 eV. These results can be used in the design of GaAsSb optoelectronic devices and further studies on the thermal properties of GaAsSb lasers. |
URI: | http://ntur.lib.ntu.edu.tw//handle/246246/20046 | 其他識別: | 932215E002023 | Rights: | 國立臺灣大學電子工程學研究所 |
顯示於: | 電子工程學研究所 |
檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
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