https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/299087
標題: | Closed-form analytical drain current model considering energy transport and self-heating for short-channel fully-depleted SOI NMOS devices with lightly-doped drain structure biased in strong inversion | 作者: | S. C. Lin J. B. Kuo JAMES-B KUO |
公開日期: | 十二月-2002 | 卷: | 49 | 期: | 12 | 起(迄)頁: | 2193-2203 | 來源出版物: | IEEE Transactions on Electron Devices | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/299087 | DOI: | 10.1109/ted.2002.805222 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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