https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/299092
標題: | Compact Breakdown Model for PD SOI NMOS Devices Considering BJT/MOS Impact Ionization for SPICE Circuits Simulation | 作者: | J. B. Kuo S. C. Lin JAMES-B KUO |
公開日期: | 十二月-2002 | 來源出版物: | IEDMS | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/299092 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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