https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/304102
標題: | Modeling the Fringing Electric Field Effect on the Threshold Voltage of FD SOI NMOS Devices with the LDD/Sidewall Oxide Spacer Structure | 作者: | S. C. Lin J. B. Kuo JAMES-B KUO |
公開日期: | 十二月-2003 | 卷: | 50 | 期: | 12 | 起(迄)頁: | 2559-2564 | 來源出版物: | IEEE Transactions on Electron Devices | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/304102 | DOI: | 10.1109/TED.2003.816910 |
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