https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/304108
標題: | Asymmetric Gate Misalignment Effect on Subthreshold Characteristics DG SOI NMOS Devices Considering Fringing Electric Field Effect | 作者: | M. T. Lin E. C. Sun J. B. Kuo JAMES-B KUO |
公開日期: | 十二月-2003 | 來源出版物: | Electron Devices and Material Symposium | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/304108 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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