https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/310413
標題: | Low threshold-current-density 1.3m InAs/InGaAs quantum dot lasers with InGaP cladding layers grown by gas-source molecular-beam epitaxy | 作者: | Chang, F.Y. Lee, J.D. HAO-HSIUNG LIN |
公開日期: | 二月-2004 | 卷: | 40 | 期: | 3 | 起(迄)頁: | 179-180 | 來源出版物: | Electronics Letters | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/310413 | DOI: | 10.1049/el:20040127 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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