https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/325383
標題: | Gate capacitances behavior of nanometer FD SOI CMOS devices with HfO2 high-k gate dielectric considering vertical and fringing displacement effects using 2-D simulation | 作者: | Y. S. Lin C. H. Lin J. B. Kuo K. W. Su JAMES-B KUO |
公開日期: | 六月-2006 | 卷: | 53 | 期: | 6 | 起(迄)頁: | 1373-1378 | 來源出版物: | IEEE Transactions on Electron Devices | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/325383 | DOI: | 10.1109/ted.2006.874157 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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