https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/325386
標題: | Capacitance Behavior of Nanometer FD SOI CMOS Devices with HfO2 High-k Gate Dielectric Considering Gate Tunneling Leakage Current | 作者: | JAMES-B KUO | 公開日期: | 五月-2006 | 起(迄)頁: | 61-66 | 來源出版物: | MIEL | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/325386 | DOI: | 10.1109/ICMEL.2006.1650896 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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