https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/329945
標題: | Low temperature (<400 °c) Al2O3 ultrathin gate dielectrics prepared by shadow evaporation of aluminum followed by nitric acid oxidation | 作者: | JENN-GWO HWU | 公開日期: | 2007 | 卷: | 90 | 期: | 10 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-33947100102&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/329945 |
DOI: | 10.1063/1.2711290 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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