https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/332345
標題: | Ga/sub 0.51/In/sub 0.49/P/In/sub 0.15/Ga/sub 0.85/As/GaAs pseudomorphic doped-channel FET with high-current density and high-breakdown voltage | 作者: | Sun, T.-P. Lin, Y.-S. Lu, S.-S. |
公開日期: | 1997 | 卷: | 18 | 期: | 4 | 起(迄)頁: | 150-153 | 來源出版物: | IEEE Electron Device Letters | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0031122939&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/332345 |
DOI: | 10.1109/55.563312 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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