https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/340141
標題: | Si metal-oxide-semiconductor devices with high kappa HfO2 fabricated using a novel MBE template approach followed by atomic layer deposition | 作者: | Pan, CH Kwo, J Lee, KY Lee, WC Chu, LK Huang, ML Lee, YJ Hong, M MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2008 | 卷: | 26 | 期: | 3 | 起(迄)頁: | 1178-1181 | 來源出版物: | Journal of Vacuum Science & Technology B | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/340141 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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