https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/347706
標題: | Improvement in the electrical properties of thin gate oxides by chemical-assisted electron stressing followed by annealing (CAESA) | 作者: | Shih, Y.-H. Hwu, J.-G. JENN-GWO HWU |
公開日期: | 1999 | 卷: | 20 | 期: | 11 | 起(迄)頁: | 545-547 | 來源出版物: | IEEE Electron Device Letters | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0033221322&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/347706 |
DOI: | 10.1109/55.798038 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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