https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/350495
標題: | A comprehensive study of Ge<inf>1-x</inf>Si<inf>x</inf> on Ge for the Ge nMOSFETs with tensile stress, shallow junctions and reduced leakage | 作者: | CHEE-WEE LIU | 公開日期: | 2009 | 來源出版物: | International Electron Devices Meeting, IEDM | URI: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-77952330177&partnerID=MN8TOARS http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/350495 |
DOI: | 10.1109/IEDM.2009.5424246 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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