https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/357470
標題: | Self-aligned inversion-channel In 0.75 Ga 0.25 As metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors using UHV-Al 2 O 3/Ga 2 O 3 (Gd 2 O 3) and ALD-Al 2 O 3 as gate dielectrics | 作者: | Lin, TD Chiu, HC Chang, P Chang, YH Wu, YD Hong, M Kwo, J MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2010 | 卷: | 54 | 期: | 9 | 起(迄)頁: | 919-924 | 來源出版物: | Solid-State Electronics | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/357470 |
顯示於: | 應用物理研究所 |
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