https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/359146
標題: | Raman scattering of heavily Si-doped InAs grown by moleculr beam epitaxy | 作者: | J. S. Tzeng C. J. Wu C. J. Hong-Liao HAO-HSIUNG LIN |
公開日期: | 十一月-2010 | 起(迄)頁: | C3-6 | 來源出版物: | 2010 international electron devices and materials symposia | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/359146 |
顯示於: | 電機工程學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。