https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/366360
標題: | Analysis of Turn-off Transient Behavior of the 40nm PD SOI NMOS Device with the Floating Body Effect | 作者: | C. H. Chen J. B. Kuo D. Chen C. S. Yeh JAMES-B KUO |
公開日期: | 十一月-2011 | 來源出版物: | International Electron Device Material Symposium | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/366360 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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