https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/381394
標題: | Turn-off Transient Behavior of PD SOI NMOS Device Considering the Back-Gate Bias Effect | 作者: | D. H. Lung J. B. Kuo D. Chen JAMES-B KUO |
公開日期: | 十一月-2013 | 來源出版物: | International Electron Devices and Material Symposium | URI: | http://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/381394 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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