https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404488
標題: | Optimization of dislocation edge stress effects for si n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors | 作者: | Liao, M.-H. Chen, C.-H. Chang, L.-C. Yang, C. Yu, M.-Y. Liu, G.-H. Kao, S.-C. |
公開日期: | 2013 | 卷: | 52 | 期: | 4 PART 2 | 起(迄)頁: | 1350-1352 | 來源出版物: | Japanese Journal of Applied Physics | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404488 | DOI: | 10.7567/JJAP.52.04CC20 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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