https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404499
標題: | Publisher's note: "Optimization of dislocation edge stress effects for Si N-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors" [Jpn. J. Appl. Phys. 52, 04CC20 (2013)] | 作者: | Liao, M.-H. Chen, C.-H. Chang, L.-C. Yang, C. Yu, M.-A. Liu, G.-H. Kao, S.-C. |
公開日期: | 2015 | 卷: | 54 | 期: | 3 | 起(迄)頁: | 1314-1316 | 來源出版物: | Japanese Journal of Applied Physics | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404499 https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84924261139&doi=10.7567%2fJJAP.54.039205&partnerID=40&md5=5e381a8a7191fa3a5df5614809b186a7 |
ISSN: | 00214922 | DOI: | 10.7567/JJAP.54.039205 |
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