https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404502
標題: | The demonstration of dislocation-stress memorization technique stressor on Si n-FinFETs | 作者: | M. H.Liao P.-G. Chen |
公開日期: | 2015 | 卷: | 14 | 期: | 4 | 起(迄)頁: | 657 | 來源出版物: | IEEE Transactions on Nanotechnology | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404502 | DOI: | 10.1109/TNANO.2015.2428698 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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