https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404542
標題: | Relaxation of Residual Stress in Bent GaN Film on Sapphire Substrate by Laser Treatment With an Optimized Surface Structure Design | 作者: | M. H.Liao C. H. Chen L.-C. Chang S. C. Kao M.-Y. Yu G.-H. Liu M.-C.Huang |
公開日期: | 2013 | 卷: | 60 | 期: | 2 | 起(迄)頁: | 767-770 | 來源出版物: | IEEE Transaction on Electron Devices | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404542 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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