https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404565
標題: | The effect of CESL and dummy poly gate for n-type MOSFETs with short Si0.75Ge0.25 channel. | 作者: | M. H.Liao H.-W. Hsuh C.-C. Lee |
公開日期: | 2017 | 卷: | 140 | 起(迄)頁: | 66 | 來源出版物: | Vacuum | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/404565 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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