https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/428033
標題: | Physical Thickness 1.x nm Ferroelectric HfZrOx Negative Capacitance FETs | 作者: | M. H. Lee S.-T. Fan C.-H. Tang P.-G. Chen Y.-C. Chou H.-H. Chen J.-Y. Kuo M.-J. Xie S.-N. Liu M.-H. Liao C.-A. Jong K.-S. Li M.-C. Chen C. W. Liu LIN-SHAN LEE |
公開日期: | 2016 | 來源出版物: | International Electron Devices Meeting (IEDM) | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/428033 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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