https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/432407
標題: | Atomic layer deposition of sub-10?nm high-K gate dielectrics on top-gated MoS 2 transistors without surface functionalization | 作者: | Lin Y.-S. Cheng P.-H. Huang K.-W. HSIN-CHIH LIN MIIN-JANG CHEN |
公開日期: | 2018 | 出版社: | Elsevier B.V. | 卷: | 443 | 起(迄)頁: | 421-428 | 來源出版物: | Applied Surface Science | URI: | https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85043256309&doi=10.1016%2fj.apsusc.2018.02.225&partnerID=40&md5=8399221e9d0d91c0fa48a44324b2e422 https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/432407 |
ISSN: | 01694332 | DOI: | 10.1016/j.apsusc.2018.02.225 |
顯示於: | 材料科學與工程學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。