https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443343
標題: | Effective passivation of In <inf>0.2</inf>Ga <inf>0.8</inf>As by HfO <inf>2</inf> surpassing Al <inf>2</inf>O <inf>3</inf> via in-situ atomic layer deposition | 作者: | Chang, Y.H. Lin, C.A. Liu, Y.T. Chiang, T.H. Lin, H.Y. Huang, M.L. Lin, T.D. Pi, T.W. Kwo, J. Hong, M. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2012 | 卷: | 101 | 期: | 17 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443343 | DOI: | 10.1063/1.4762833 |
顯示於: | 物理學系 |
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