https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443356
標題: | Low interfacial trap density and sub-nm equivalent oxide thickness in In<inf>0.53</inf>Ga<inf>0.47</inf>As (001) metal-oxide-semiconductor devices using molecular beam deposited HfO<inf>2</inf>/Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> as gate dielectrics | 作者: | Chu, L.K. Merckling, C. Alian, A. Dekoster, J. Kwo, J. Hong, M. Caymax, M. Heyns, M. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2011 | 卷: | 99 | 期: | 4 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443356 | DOI: | 10.1063/1.3617436 |
顯示於: | 物理學系 |
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