https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443369
標題: | Electrical properties and interfacial chemical environments of in situ atomic layer deposited Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> on freshly molecular beam epitaxy grown GaAs | 作者: | Chang, Y.H. Huang, M.L. Chang, P. Lin, C.A. Chu, Y.J. Chen, B.R. Hsu, C.L. Kwo, J. Pi, T.W. Hong, M. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2011 | 卷: | 88 | 期: | 4 | 起(迄)頁: | 440-443 | 來源出版物: | Microelectronic Engineering | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443369 | DOI: | 10.1016/j.mee.2010.09.015 |
顯示於: | 物理學系 |
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