https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443415
標題: | Self-aligned inversion n-channel In<inf>0.2</inf>Ga<inf>0.8</inf>As/GaAs metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with TiN gate and Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf>(Gd<inf>2</inf>O<inf>3</inf>) dielectric | 作者: | Chen, C.P. Lin, T.D. Lee, Y.J. Chang, Y.C. Hong, M. Kwo, J. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2008 | 卷: | 52 | 期: | 10 | 起(迄)頁: | 1615-1618 | 來源出版物: | Solid-State Electronics | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443415 | DOI: | 10.1016/j.sse.2008.06.006 |
顯示於: | 物理學系 |
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