https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443417
標題: | High-performance self-aligned inversion-channel In0.53 Ga0.47 As metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor with Al2 O3 Ga2 O3 (Gd2 O3) as gate dielectrics | 作者: | Lin, T.D. Chiu, H.C. Chang, P. Tung, L.T. Chen, C.P. MINGHWEI HONG Kwo, J. Tsai, W. Wang, Y.C. |
公開日期: | 2008 | 卷: | 93 | 期: | 3 | 來源出版物: | Applied Physics Letters | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443417 | DOI: | 10.1063/1.2956393 |
顯示於: | 物理學系 |
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