https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443483
標題: | Properties of Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf>(Gd<inf>2</inf>O<inf>3</inf>)/GaN metal-insulator-semiconductor diodes | 作者: | Hong, M. Anselm, K.A. Kwo, J. Ng, H.M. Baillargeon, J.N. Kortan, A.R. Mannaerts, J.P. Cho, A.Y. Lee, C.M. Chyi, J.I. Lay, T.S. MINGHWEI HONG |
公開日期: | 2000 | 卷: | 18 | 期: | 3 | 起(迄)頁: | 1453-1456 | 來源出版物: | Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/443483 | DOI: | 10.1116/1.591402 |
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