https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/447942
標題: | Non-Volatile Ferroelectric FETs Using 5-nm Hf<inf>0.5</inf>Zr<inf>0.5</inf>O<inf>2</inf> with High Data Retention and Read Endurance for 1T Memory Applications | 作者: | Chen, K.-T. Chen, H.-Y. Liao, C.-Y. Siang, G.-Y. Lo, C. Liao, M.-H. Li, K.-S. Chang, S.T. Lee, M.H. MING-HAN LIAO |
公開日期: | 2019 | 卷: | 40 | 期: | 3 | 起(迄)頁: | 399-402 | 來源出版物: | IEEE Electron Device Letters | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/447942 | DOI: | 10.1109/LED.2019.2896231 |
顯示於: | 機械工程學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。