https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/486862
標題: | Ga<inf>0.51</inf>In<inf>0.49</inf>P/ln<inf>x</inf>Ga<inf>1-x</inf>As/GaA s lattice-matched and strained doped-channel field-effect transistors grown by gas source molecular beam epitaxy | 作者: | Lin, Y.-S. Lu, S.-S. PEI-ZEN CHANG |
公開日期: | 1999 | 卷: | 85 | 期: | 4 | 起(迄)頁: | 2197-2201 | 來源出版物: | Journal of Applied Physics | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/486862 | DOI: | 10.1063/1.369527 |
顯示於: | 應用力學研究所 |
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