https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/499999
標題: | High-speed GaN-based green light-emitting diodes with partially n-doped active layers and current-confined apertures | 作者: | Shi, J.-W. Sheu, J.-K. Chen, C.-H. Lin, G.-R. GONG-RU LIN |
公開日期: | 2008 | 卷: | 29 | 期: | 2 | 起(迄)頁: | 158-160 | 來源出版物: | IEEE Electron Device Letters | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/499999 | DOI: | 10.1109/LED.2007.914070 |
顯示於: | 電機工程學系 |
在 IR 系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。