https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/500378
標題: | Phonon characteristics of Si-doped InAs grown by gas-source molecular beam epitaxy | 作者: | Talwar, Devki N. Lin, Hao-Hsiung Feng, Zhe Chuan HAO-HSIUNG LIN |
來源出版物: | Journal of Raman Spectroscopy | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/500378 | ISSN: | 0377-0486 | DOI: | 10.1002/jrs.5703 |
顯示於: | 電機工程學系 |
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