https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/501518
標題: | Ultralow Schottky Barriers in Hexagonal Boron Nitride-Encapsulated Monolayer WSe2 Tunnel Field-Effect Transistors | 作者: | Pande, G. Siao, J.-Y. Chen, W.-L. Lee, C.-J. Sankar, R. Chang, Y.-M. Chen, C.-D. Chang, W.-H. Chou, F.-C. FANG-CHENG CHOU MINN-TSONG LIN |
公開日期: | 2020 | 出版社: | NLM (Medline) | 卷: | 12 | 期: | 16 | 起(迄)頁: | 18667-18673 | 來源出版物: | ACS applied materials & interfaces | URI: | https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/501518 | ISSN: | 19448252 | DOI: | 10.1021/acsami.0c01025 |
顯示於: | 凝態科學研究中心 |
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